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- CP等离子刻蚀机NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机概述：是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。
NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机主要特点：
基于PC控制的立柜式百级ICP-RIE刻蚀系统，拥有快速的刻蚀能力；
配套LabView软件，菜单驱动，自动记录数据；
触摸屏监控；
全自动系统，带安全联锁；
四级权限，带密码保护；
手动上下载片；
可以支持ICP和RIE两种刻蚀模式；
实时显示真空、功率、反射功率图表，以及流量实时显示；
NRE-4000（ICPM）配置内容：
外观尺寸：紧凑型立柜式设计，不锈钢腔体，外观尺寸为44"(W)x26"(L)x62"(H)；
等离子源：NM-ICP平面电感耦合等离子体源，带有自动调谐器，激活面积可以达到8"；
处理腔体：13"的圆柱形超净腔体，材质为阳极电镀铝。晶片通过气动顶盖装载，腔体带有上载安全锁，用户可以通过PC控制，至多可以装载8个小尺寸基片，可支持的晶圆尺寸为8"。腔体带有2"的观察窗口。腔体顶部的喷嘴式气流分配装置，提供8"区域的气体均匀分布。系统带暗区保护。
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