电子元器件破坏性物理分析（DPA）及失效分析FA

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邮箱：lisz@grgtest.com

       广电计量检测（GRGT）深耕电子元器件的失效分析与故障归零，为元器件、电机/机电部件、金属结构件失效能⼒提供系统的失效分析，能⼒涵盖器件设计、制造工艺、试验或应用等各阶段。

服务对象 

电子元件、分⽴器件、机电类器件、线缆及接插件、微处理器、可编程逻辑器件、存储器、AD/DA、总线接⼝类、通用数字电路、模拟开关、模拟器件、微波器件、电源类...

破坏性物理分析（DPA）：

使用前及时发现产品隐含缺陷；

判断批次产品的品质（一致性）；

提供选用高可靠性元器件的依据，保证整机设备的可靠性；

判断电子元器件产品的工艺、材料、设计和材料是否合格。

DPA主要分析项目：

外部目检 Visual Inspection

X光检查 X-ray Inspection

粒子噪声PIND

物理检查Physical Check

气密性检查Airproof Check

内部水汽Internal Vapor Analysis

开封Decap

内部目检Internal Inspection

电镜能谱SEM/EDAX

超声波检查 C－SAM

引出端强度 Terminal strength

拉拔力 Pull Test

切片Cross-section

粘接强度Attachment’s strength

钝化层完整性Integrality Inspection for Glass Passivation

制样镜检Sampling with Microscope

引线键合强度 bonding strength

接触件检查Contact Check

剪切强度测试Shear Test

破坏性物理分析（DPA）覆盖标准体系

国军标

GJB 4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法

GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序

GJB128A-97 半导体分立器件试验方法

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法

美军标

MIL-STD-883H-2010 微电子器件试验方法

MIL-STD-1580-2003 电子、电磁和机电产品的破坏性物理分析

MIL-STD-750D 半导体分析器件试验方法

电子元器件失效分析（FA）

       通过电学、物理与化学等一系列分析技术手段获得电子产品失效机理与原因的过程。

        基于获得的失效机理和原因，可以采取针对性的改进措施，提升产品的可靠性与成品率，缩短研发周期，铸就好的品牌，解决技术纠纷，节约成本等。

失效分析（FA）服务内容 

形貌分析技术：体视显微镜、金相显微镜、X射线透视、声学扫描显微镜、扫描电镜、透射电镜、聚焦离子束。

成分检测技术：X射线能谱EDX、俄歇能谱AES、二次离子质谱SIMS、光谱、色谱、质谱。

电分析技术：I-V曲线、半导体参数、LCR参数、集成电路参数、频谱分析、ESD参数、电子探针、机械探针、绝缘耐压、继电器特性。

开封制样技术：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片。

缺陷定位技术：液晶热点、红外热像、电压衬度、光发射显微像、OBIRCH。

覆盖标准 

GJB 33A-1997半导体分立器件总规范；

GJB 65B-1999有可靠性指标的电磁继电器总规范；

GJB 450A装备可靠性工作通用要求；

GJB 536B-2011电子元器件质量保证大纲；

GJB 548B-2005微电子器件试验方法和程序；

GJB 597A-1996半导体集成电路总规范；

GJB 841故障报告、分析和纠正系统；