技术指标:1.热场发射肖特基源 2.电子束能:20 eV-30 keV之间可调 3.最小束斑 2nm 4.最小特征尺寸 <= 10 nm 5.拼接精度 <= 35 nm 6. 套刻精度 <= 35 nm 7. 最小光栅周期 <= 40 nm 8. 最大晶片尺寸100 mm 9. 束斑形状 高斯圆形束 10. 束路径是无cross-over的模式,可获得极高束流密度 11. 电子束电流 5pA-20nA
仪器用途:应用于低温电子器件、光电子器件、量子结构、输运机制、微机电系统(MEMS)等领域
收费标准:800元/小时,包括光刻胶费用
机组负责人:张志强 0512-69588058 15250478263 zhangzq@sibet.ac.cn