技术指标:1.300 W射频源; 2.2 kW直流源; 3.共四个底电极:三个底电极为水冷,一个可加热到350℃; 4.三路反应气体分别为Ar, N2, O2; 5.反应腔内径为600mm,高度为300mm; 6.溅射前腔内压力:≤7*10-8Torr; 7.偏置电压:10V-300V可调;
仪器用途:主要用于低应力单层/多层金属薄膜制备
收费标准:①450元/小时+②300元/次工艺+③材料费: 50元/10nm(Au及合金、Pd)或75元/10nm(Pt) 或50元/100nm (其它材料)
机组负责人:周连群 0512-69588061 15262484019 zhoulq@sibet.ac.cn