技术指标:1.600 W射频源; 2.2 kW直流源; 3.底电极可加热到800℃ 且持续时间大于30min; 4.反应腔内径为500mm; 5.溅射前腔内压力:≤10-7Torr; 6.偏置电压:10V-300V可调; 7.薄膜厚度最大为3微米(AlN),薄膜不均匀性:≤±5%。
仪器用途:MEMS器件中的氮化铝(AlN)压电薄膜制备
收费标准:①450元/小时+②300元/次工艺+③材料费: 50元/10nm(Au及合金、Pd)或75元/10nm(Pt) 或50元/100nm (其它材料)
机组负责人:周连群 0512-69588061 15262484019 zhoulq@sibet.ac.cn