技术指标:1.基片尺寸: 2寸 到 150mm (直径) 或为3"×3" 到 6"×6"; 2.基片双面对准,键合预对准,紫外固化纳米压印; 3.光刻分辨率:<0.5微米; 4.套刻精度:<1微米; 5.曝光间距设置:0 到300 微米; 6.对版工作台运动范围:X:±10mm; Y: ±5mm; Theta: ±5°; 7.光源波长:435nm和365nm; 8.光源均匀性:<5%; 9.四种曝光方式(真空接触、低真空接触、软接触、硬接触); 10.工艺参数可存储调用,节省再设置的时间并提高工艺的一致性。
仪器用途:对晶圆上光刻胶进行图形压印、紫外曝光操作
收费标准:800元/小时
机组负责人:周连群 0512-69588061 15262484019 zhoulq@sibet.ac.cn