技术指标:RESOLUTION:0.5μm LENS DISTORTION:≤0.9μm RETICLE ALIGNMENT ACCURACY:≤0.02μm STEPPING ACCURACY:≤0.08μm OVERLAY ACCURACY:≤0.15μm(X,Y) OPEN FLAME(MAX. EXPOSURE AREA):17.5×17.5mm
仪器用途:把掩膜版上的图形按照一定的比例缩小复制到涂布有光刻胶的晶圆上,分区域进行步进式曝光。本机台可用于125mm×125mm掩模和φ100mm及150mm的晶圆高精度投影曝光,曝光精度可达500nm。
收费标准:1200元/h,超净费用另附。
机组负责人:张嫔 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn