技术指标:注入能量:10keV~1MeV(单价离子); 注入剂量:1E11~1E17 ions/cm2; 角度:±11°; 样品:6英寸(向下兼容),17片; 目前可进行硼、磷、氟、铝、氮、氩等离子注入.
仪器用途:离子注入机是半导体器件掺杂工艺的关键设备,注入过程中可对剂量、能量、角度进行精确控制,从而改变半导体的载流子浓度与导电类型
收费标准:1600元/小时
机组负责人:张嫔 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn
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