技术指标:样品面积为2寸,4寸,6寸标准片和碎片。灯源采用350W直流高压汞灯,波长使用为365nm为主的宽带光源,曝光最大面积150mm*150mm。 照明均匀度±4%,对准精度:±1微米。分辨率:1微米。光刻版为3寸,4寸,5寸,7寸标准光刻版。注意最小的光刻版为3寸,2.5寸光刻版不适合本机台使用。
仪器用途:紫外接近、接触式光刻制造小规模集成电路,半导体器件等
收费标准:200元/30分钟
机组负责人:张嫔 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn