技术指标:1、最大温度范围150℃-1350℃,限定使用温度范围150℃-900℃,900℃退火使用时间30s左右;600℃――900℃,最长退火时间180s,具体酌情而定。600℃及以下温度允许使用30min。 2、升温速率0.01-180℃/秒,可预设定 3、密封石英盒尺寸:210×140×14mm 4、PC机控制。 5、可编程温度曲线存储500条以上,每条曲线可包括50段以上,温度设定范围100℃-1300℃时间设定范围1-30000秒 6、实时温度曲线,显示及存储功能,存储实验曲线500条以上。 7、手动控制:时间设定范围1-9999秒,温度设定范围100-1300℃ 8、双闭环温度控制,稳态温度稳定性±2℃ 9、光源:1.25KW×13卤钨灯 10、电源:380V 32A 3相 11、外形尺寸:电源箱440×200×520mm
仪器用途:快速热处理技术(RTP)可用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质,硅化物形成,欧姆/肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化,消除薄膜应力,提高薄膜附着性等方面。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温,慢速升降温的功能,因此也可用于各种半导体材料PVD/CVD工艺的热处理。
收费标准:160元/小时,O2工艺200元/小时,O2流量不得大于2.5L/min
机组负责人:张嫔 0512-62872625 fyang2010@sinano.ac.cn